60V/13A 电池保护MOS管 10N06 TO-252 国产常用NMOS MOSFET芯片
电池保护MOS管 10N06的管脚图:
电池保护MOS管 10N06的应用领域:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
电池保护MOS管 10N06的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 13 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 10 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 50 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 11 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 10 | A |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 42 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 3 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电池保护MOS管 10N06的电特性:
(如无特殊说明,Tj=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 64 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 65 | 80 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 75 | 90 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 5.1 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 330 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 65 | |||
Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 51 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 15.2 | |||
tf | 开启下降时间 | 10.3 |