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10N06 TO-252 国产常用NMOS
10N06 TO-252 国产常用NMOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10N06
产品封装:TO-252
产品标题:60V/13A 电池保护MOS管 10N06 TO-252 国产常用NMOS MOSFET芯片
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60V/13A 电池保护MOS管 10N06 TO-252 国产常用NMOS MOSFET芯片



电池保护MOS管 10N06的管脚图:

image.png



电池保护MOS管 10N06的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



电池保护MOS管 10N06的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60
V
VGS栅极-源极电压±20
ID

漏极电流-连续

TC=25℃

13A

漏极电流-连续

TC=100℃

10
IDM漏极电流-脉冲50
EAS单脉冲雪崩能量11mJ
IAS
雪崩电流10A
PD

总耗散功率

TC=25℃

42W
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻3
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



电池保护MOS管 10N06的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6064
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


6580
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


7590
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
5.1
nC
Qgs栅源电荷密度

1.2


Qgd栅漏电荷密度
1.5
Ciss输入电容
330
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
13
ns
tr开启上升时间

51


td(off)关断延迟时间
15.2
tf
开启下降时间
10.3


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