低压N+PMOS 8G06 SOP-8 常用国产MOS 60V场效应管价格
低压N+PMOS 8G06的引脚图：
低压N+PMOS 8G06的特点：
1、N-CH：
VDS=60V
ID=8.5A
RDS(ON)＜52mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-60V
ID=-7.7A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=-10V
低压N+PMOS 8G06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 8.5 | -7.7 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 4 | -3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | -14 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | 28.8 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 21 | 24 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 2 | 2 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62.5 | 62.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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