30V低压MOS P+P沟道MOS管 4953A SOP-8 贴片国产MOS
30V低压MOS 4953A的引脚图：
30V低压MOS 4953A的应用领域：
PWM 应用程序
负载开关
30V低压MOS 4953A的产品特点：
VDS=-30V
ID=-7A
RDS(ON)＜48mΩ@VGS=-10V
封装：SOP-8
30V低压MOS 4953A的极限参数：
(如无特殊说明，TA=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-7A
漏极电流-脉冲 IDM：-21A
总耗散功率 PD：1.5W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：25℃/W
30V低压MOS 4953A的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-4.1A | 37 | 48 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-3A | 58 | 65 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 6.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 530 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 70 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 56 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 61 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 19 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
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