40V/65A 65N04 PDFN3X3-8L 低压大电流MOS 开关MOSFET NMOS管手册
低压大电流MOS 65N04的引脚图：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
低压大电流MOS 65N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：65A
漏极电流-脉冲 IDM：180A
单脉冲雪崩能量 EAS：81mJ
雪崩电流 IAS：10A
总耗散功率 PD：27.8W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4.5℃/W
低压大电流MOS 65N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 8 | 10 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 10 | 13 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=40V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=40V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 37 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 192 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 165 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 12 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 38 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9 |
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