60V低压MOS 8N06 SOT89-3L 贴片小封装MOS 应用于电源 MOSFET
60V低压MOS 8N06的产品特点：
VDS=60V
ID=8.5A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=10V
封装：SOT89-3L
60V低压MOS 8N06的引脚图：
60V低压MOS 8N06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 8.5 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 5.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 14.6 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 21.5 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 20.6 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.2 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 36 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
60V低压MOS 8N06的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 28 | 40 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 33 | 45 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1148 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 58.5 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 49.4 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 15 | |||
| tf | 开启下降时间 | 24 |
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