宇芯微 30V 低压N+PMOS管 8G03 ESOP-8 无线充用MOS MOSFET丝印
低压N+PMOS管 8G03的特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=9.8A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-7.6A
RDS(ON)＜30mΩ@VGS=-10V
低压N+PMOS管 8G03的应用领域：
无线充电
无刷马达
低压N+PMOS管 8G03的引脚图：
低压N+PMOS管 8G03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 9.8 | -7.6 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 6 | -5.9 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | -15 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 21 | 30 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 2 | 2 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
低压N+PMOS管 8G03的封装外形尺寸图：
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