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4H06 SOP-8 60VN+N沟道MOS
4H06 SOP-8 60VN+N沟道MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4H06
产品封装:SOP-8
产品标题:功率场效应管 4H06 SOP-8 60VN+N沟道MOS UPS用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


功率场效应管 4H06 SOP-8 60VN+N沟道MOS UPS用MOS管



UPS用MOS管 4H06的产品特点:

  • VDS=60V

  • ID=4A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOP-8



UPS用MOS管 4H06的产品特点:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



UPS用MOS管 4H06的引脚:

image.png



UPS用MOS管 4H06的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 (TA=25℃)4.5A
漏极电流-连续 (TA=70℃)3.5
IDM漏极电流-脉冲18
EAS单脉冲雪崩能量22mJ
IAS雪崩电流21A
PD总耗散功率 (TA=25℃)1.5W
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻25
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



UPS用MOS管 4H06的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=4A


3640
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=2A


4250
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
28.3
S
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.6


Qgd栅漏电荷密度
4.1
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
3
ns
tr开启上升时间

34


td(off)关断延迟时间
23
tf
开启下降时间
6


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