30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8 手机快充场效应管 MOS管丝印
手机快充场效应管 10H03的管脚排列图:
手机快充场效应管 10H03的应用领域:
锂电池保护
手机快充
手机快充场效应管 10H03的极限值:
(如无特殊说明,TA=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 10 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | 75 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 24.2 | mJ |
IAS | 单脉冲雪崩电流 | 22 | A |
PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 26 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 75 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 4.8 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
手机快充场效应管 10H03的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 9 | 12 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 14 | 18 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨导 | 24.4 | S | ||
Qg | 栅极电荷 | 9.82 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 2.24 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.54 | |||
Ciss | 输入电容 | 896 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 126 | |||
Crss | 反向传输电容 | 108 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 6.4 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 39 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 21 | |||
tf | 开启下降时间 | 4.7 |