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9926A SOP-8 低压N+N沟道MOS
9926A SOP-8 低压N+N沟道MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:9926A
产品封装:SOP-8
产品标题:电池保护MOS 9926A SOP-8 低压N+N沟道MOS 20V/6.5A MOS管选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


电池保护MOS 9926A SOP-8 低压N+N沟道MOS 20V/6.5A MOS管选型



电池保护MOS 9926A的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



电池保护MOS 9926A的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续(TA=25℃) ID:6.5A

  • 漏极电流-连续(TA=70℃) ID:4A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:24A

  • 总耗散功率(TA=25℃) PD:1.2W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:78℃/W



电池保护MOS 9926A的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2022
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


2028
静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=5A


25.538
VGS(th)
栅极开启电压0.50.71.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
5.6
nC
Qgs栅源电荷密度

0.8


Qgd栅漏电荷密度
1
Ciss输入电容
358
pF
Coss输出电容
69.3
Crss反向传输电容
58.5
td(on)开启延迟时间
16
ns
tr开启上升时间

51


td(off)关断延迟时间
21
tf
开启下降时间
18


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