MOSFET参数 N+NMOS管 8814A SOT-23-6L 低内阻场效应管 MOS管8814A
N+NMOS管 8814A的引脚图：
N+NMOS管 8814A的产品特点：
VDS=20V
ID=8A
RDS(ON)＜17mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=2.5V
封装：SOT-23-6L
N+NMOS管 8814A的用途：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
N+NMOS管 8814A的极限参数：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±10 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 8 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 25 | |
| PD | 总耗散功率 | 1.25 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 100 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
N+NMOS管 8814A的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=4A | 14 | 17 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 18 | 22 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 10 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 800 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 155 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 125 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 18.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 4.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 43.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 20 |
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