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900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F
900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F
产品品牌:宇芯微
产品类型:高压MOS管
产品型号:3N90
产品封装:TO-220F
产品标题:塑封MOS大全 900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F 高压场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


塑封MOS大全 900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F 高压场效应管



塑封MOS大全 3N90的产品特点:

  • VDS=900V

  • ID=3A

  • RDS(ON)<4.8Ω@VGS=10V

  • 封装:TO-220F



塑封MOS大全 3N90的用途:

  • UPS 不间断电源

  • PFC 功率因素校正



塑封MOS大全 3N90的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:900V

  • 栅极-源极电压 VGS:±30V

  • 漏极电流-连续 ID:3A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:10A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:4.5mJ

  • 雪崩电流 IAR:3A

  • 总耗散功率 PD:25W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:5℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:65℃/W



塑封MOS大全 3N90的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压900

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=1.2A



4.8Ω
VGS(th)
栅极开启电压2
4V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
2
S
Qg栅极电荷
1829nC
Qgs栅源电荷密度

3.5


Qgd栅漏电荷密度
7
Ciss输入电容
8001280pF
Coss输出电容
55
Crss反向传输电容
4
td(on)开启延迟时间
20
ns
tr开启上升时间

14


td(off)关断延迟时间
105
tf
开启下降时间
24


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