塑封MOS大全 900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F 高压场效应管
塑封MOS大全 3N90的产品特点:
VDS=900V
ID=3A
RDS(ON)<4.8Ω@VGS=10V
封装:TO-220F
塑封MOS大全 3N90的用途:
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
塑封MOS大全 3N90的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:900V
栅极-源极电压 VGS:±30V
漏极电流-连续 ID:3A
漏极电流-脉冲 IDM:10A
单脉冲雪崩能量 EAS:4.5mJ
雪崩电流 IAR:3A
总耗散功率 PD:25W
存储温度 TSTG:-55~+150℃
工作结温 TJ:-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC:5℃/W
结到环境的热阻 RθJA:65℃/W
塑封MOS大全 3N90的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 900 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1.2A | 4.8 | Ω | ||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨导 | 2 | S | ||
Qg | 栅极电荷 | 18 | 29 | nC | |
Qgs | 栅源电荷密度 | 3.5 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 7 | |||
Ciss | 输入电容 | 800 | 1280 | pF | |
Coss | 输出电容 | 55 | |||
Crss | 反向传输电容 | 4 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 20 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 14 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 105 | |||
tf | 开启下降时间 | 24 |