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800V/4A 高电压NMOS管 4N80 TO-220F
800V/4A 高电压NMOS管 4N80 TO-220F
产品品牌:宇芯微
产品类型:高压MOS管
产品型号:4N80
产品封装:TO-220F
产品标题:替代MOSFET 800V/4A 高电压NMOS管 4N80 TO-220F MOS管选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


替代MOSFET 800V/4A 高电压NMOS管 4N80 TO-220F MOS管选型



替代MOSFET 4N80的产品特点:

  • VDS=800V

  • ID=4A

  • RDS(ON)<2.5Ω@VGS=10V

  • 封装:TO-220F



替代MOSFET 4N80的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压800
V
VGS栅极-源极电压±30
ID漏极电流-连续 (TC=25℃)4A
IDM漏极电流-脉冲16
EAS单脉冲雪崩能量8mJ
PD总耗散功率 (TC=25℃)32.9W
总耗散功率 (TA=25℃)1.92
RθJA结到环境的热阻65℃/W
RθJC结到管壳的热阻3.8
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



替代MOSFET 4N80的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压800

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=2A



2.5Ω
VGS(th)
栅极开启电压2.5
4.5V
gfs正向跨导
5.3
S
IGSS栅极漏电流

±1uA
Qg栅极电荷
2743.2nC
Qgs栅源电荷密度

4


Qgd栅漏电荷密度
15
Ciss输入电容
6801088pF
Coss输出电容
40
Crss反向传输电容
10
td(on)开启延迟时间
14
ns
tr开启上升时间

30


td(off)关断延迟时间
69
tf
开启下降时间
34


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