650VNMOS 国产高电压MOS 13N65 TO-220F 高频电路场效应管
650VNMOS 13N65的应用领域：
硬开关和高频电路
功率切换应用程序
UPS 不间断电源
650VNMOS 13N65的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 13 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 48 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 550 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 120 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 100 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.04 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
650VNMOS 13N65的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6A | 0.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 160 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 18 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 64 | |||
| tf | 开启下降时间 | 45 |
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