宇芯微 500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F 同步整流MOS管
塑封MOSFET 5N50的产品特点：
高雪崩能量
极低的开关损耗
VDS=500V
ID=5A
RDS(ON)＜1.2Ω@VGS=10V
封装：TO-220F
塑封MOSFET 5N50的用途：
消费电子电源电机控制器
同步整流
同步整流应用程序
塑封MOSFET 5N50的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：500V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：5A
漏极电流-脉冲 IDM：28A
单脉冲雪崩能量 EAS：176mJ
雪崩电流 IAR：4.2A
重复雪崩能量 EAR：35mJ
总耗散功率 PD：83W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：2.3℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
塑封MOSFET 5N50的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3.5A | 1 | 1.2 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 700 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 94 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 12 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 25 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 76 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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