国产替换MOS管 5N50 TO-251 电源用 高压MOSFET
高压MOSFET 5N50的产品特点：
VDS=500V
ID=5A
RDS(ON)＜1.6Ω@VGS=10V
封装：TO-251
高压MOSFET 5N50的用途：
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因素校正(PFC)
高压MOSFET 5N50的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 500 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 5 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 90 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 45 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.8 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
高压MOSFET 5N50的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A | 1.35 | 1.6 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 13.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 462 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 54.2 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 8.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 25 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 40 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
高压MOSFET 5N50的封装外形尺寸图：
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