250V/50A NMOS 高压MOSFET 50N25 TO-247 大封装MOS管
高压MOSFET 50N25的特点：
VDS=250V
ID=50A
RDS(ON)＜85mΩ@VGS=10V
封装：TO-247
高压MOSFET 50N25的应用领域：
功率放大器
电机驱动
高压MOSFET 50N25的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：250V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：50A
漏极电流-脉冲 IDM：180A
单脉冲雪崩能量 EAS：973mJ
雪崩电流 IAS：36A
重复雪崩能量 EAR：584mJ
总耗散功率 PD：65W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：0.89℃/W
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
高压MOSFET 50N25的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=22.5A | 70 | 85 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 244 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 143 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3539 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 535 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 309 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 57 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 145 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 960 | |||
| tf | 开启下降时间 | 235 |
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