常用P沟道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252 驱动用场效应管
常用P沟道MOS管 9P20的特点：
VDS=-200V
ID=-9A
RDS(ON)＜0.75Ω@VGS=-10V
封装：TO-252
常用P沟道MOS管 9P20的用途：
功率放大器
电机驱动
常用P沟道MOS管 9P20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -8.7 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | -3.6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -22.8 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 570 | mJ |
| IAR | 重复雪崩电流 | -8.7 | A |
| EAR | 触发雪崩能量 | 5.5 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 55 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 110 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.2 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
常用P沟道MOS管 9P20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-4A | 0.625 | 0.75 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3.5 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 1.1 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 590 | 770 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 140 | 180 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | 35 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 27 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 7.3 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
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