P沟道MOS管 4P20 TO-252 贴片场效应管 功率放大器MOS
P沟道MOS管 4P20的产品特点：
VDS=-200V
ID=-4A
RDS(ON)＜1.7Ω@VGS=-10V
封装：TO-252
P沟道MOS管 4P20的用途：
功率放大器
电机驱动
P沟道MOS管 4P20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-200V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-4A
漏极电流-脉冲 IDM：-14A
单脉冲雪崩能量 EAS：310mJ
重复雪崩能量 EAR：4.2mJ
总耗散功率 PD：42W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：3℃/W
结到环境的热阻 RθJA：110℃/W
P沟道MOS管 4P20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-2A | 1.4 | 1.7 | Ω | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-5.5V,ID=-1A | 1.8 | 2.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3.5 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 1.1 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 340 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 110 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 33 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 27 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 7.3 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
扫二维码进入手机网站