宇芯微 40N20 TO-247 200V/40A 增强型NMOS管 低内阻替代MOS
增强型NMOS管 40N20的应用领域：
功率放大器
电机驱动
增强型NMOS管 40N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：200V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：40A
漏极电流-脉冲 IDM：120A
单脉冲雪崩能量 EAS：588mJ
总耗散功率 PD：158W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：0.79℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
增强型NMOS管 40N20的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=14A | 60 | 80 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 103 | 136 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 53 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2879 | 3742 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 362 | 470 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 81 | 105 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28 | 69 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 251 | 494 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 309 | 617 | ||
| tf | 开启下降时间 | 220 | 412 |
增强型NMOS管 40N20的封装外形尺寸图：
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