电池保护MOS管 20N15 TO-252 国产替换场效应管 150VNMOS
电池保护MOS管 20N15的产品特点:
VDS=150V
ID=20A
RDS(ON)<105mΩ@VGS=10V
封装:TO-252
电池保护MOS管 20N15的应用领域:
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
电池保护MOS管 20N15的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 150 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 | 20 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | 40 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 53 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 18 | A |
PD | 总耗散功率 | 72.6 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.72 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
电池保护MOS管 20N15的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 95 | 105 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 105 | 115 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 2.5 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 25.1 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 6.8 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 12.6 | |||
Ciss | 输入电容 | 2285 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 110 | |||
Crss | 反向传输电容 | 83 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 8.2 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
tf | 开启下降时间 | 11 |