手机快充用 MOSFET 110N12 TO-263 贴片功率MOS 120V 国产MOS
MOSFET 110N12的用途：
消费电子电源电机控制器
同步整流
同步整流应用程序
MOSFET 110N12的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 120 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 110 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 330 | |
| PD | 总耗散功率 | 192 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 400 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.65 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
MOSFET 110N12的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 5 | 6.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 68.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 18.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5823 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 778.8 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 17.5 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 30.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 33 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 59.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 11.7 |
MOSFET 110N12的封装外形尺寸图：
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