同步整流用 低内阻MOS 60N12 TO-220 NMOS 场效应管选型
低内阻MOS 60N12的应用领域：
消费电子电源电机控制
同步整流
同步整流应用程序
低内阻MOS 60N12的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：120V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：60A
漏极电流-脉冲 IDM：180A
单脉冲雪崩能量 EAS：100mJ
总耗散功率 PD：33W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：3.8℃/W
低内阻MOS 60N12的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 10.6 | 13 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 39.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2809.7 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 356.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 8.3 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45.1 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.3 |
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