110V 电源用NMOS 100N11 TO-263 贴片MOSFET 大电流场效应管
电源用NMOS 100N11的特点：
VDS=110V
ID=100A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
电源用NMOS 100N11的应用领域：
电源转换装置
硬开关和高频电路
UPS不间断电源
电源用NMOS 100N11的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：110V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：100A
漏极电流-脉冲 IDM：300A
单脉冲雪崩能量 EAS：300mJ
总耗散功率 PD：273W
存储温度 TSTG：-55~+175℃
工作结温 TJ：-55~+175℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.55℃/W
电源用NMOS 100N11的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 110 | 120 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 12 | 16 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 110 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 22 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 39 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3150 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 350 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 240 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 16 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 69 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
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