100VPMOS管 30P10 PDFN5X6-8L 电源管理用MOS 大芯片MOSFET
100VPMOS管 30P10的特点：
VDS=-100V
ID=-30A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
封装：PDFN5X6-8L
100VPMOS管 30P10的用途：
电池保护
负载开始
UPS不间断电源
100VPMOS管 30P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-30A
漏极电流-脉冲 IDM：-120A
单脉冲雪崩能量 EAS：306mJ
总耗散功率 PD：73W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
100VPMOS管 30P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 36 | 45 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 38 | 50 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.5 | -3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 69 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 14 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 输入电容 | 6590 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 225 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 175 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 74 | |||
| tf | 开启下降时间 | 66 |
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