低内阻MOS管 -100V/-30A P沟道MOS管 30P10 TO-252 场效应管应用领域
P沟道MOS管 30P10的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
P沟道MOS管 30P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-30A
漏极电流-脉冲 IDM：-90A
单脉冲雪崩能量 EAS：157.2mJ
雪崩电流 IAS：19A
总耗散功率 PD：280W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.3℃/W
P沟道MOS管 30P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 68 | 95 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 78 | 110 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 24 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 44.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 9.13 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.93 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3029 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 129 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 76 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 27.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 79 | |||
| tf | 开启下降时间 | 53.6 |
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