100V/12A 贴片MOSFET 120N10 TO-263 N沟道MOS管
贴片MOSFET 120N10的应用领域：
消费电子电源
马达控制
同步整流
同步整流应用程序
贴片MOSFET 120N10的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：310A
单脉冲雪崩能量 EAS：130mJ
总耗散功率 PD：148W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.84℃/W
贴片MOSFET 120N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 5.8 | 8 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=9A | 8.5 | 10 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 65.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3530 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 560.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 9 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 8.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 66.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 42.1 |
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