马达控制MOS管 20N10 TO-252 100V/20A 中低压MOS 大芯片场效应管
马达控制MOS管 20N10的产品特点：
低内阻
极低的开关损耗
封装：TO-252
马达控制MOS管 20N10的用途：
消费电子电源
马达控制
同步整流
同步整流应用程序
马达控制MOS管 20N10的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：20A
漏极电流-脉冲 IDM：45A
单脉冲雪崩能量 EAS：4.2mJ
总耗散功率 PD：17W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：7.4℃/W
马达控制MOS管 20N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 55 | 75 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 112 | 300 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.7 | 3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 7.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 429.4 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 58.3 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 2.9 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.6 |
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