国产100VMOS 55N10 TO-263 贴片场效应管 MOSFET报价
国产100VMOS 55N10的特点：
VDS=100V
ID=55A
RDS(ON)＜21mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
国产100VMOS 55N10的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 55 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 110 | |
| PD | 总耗散功率 | 50 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 57 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产100VMOS 55N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 21 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 20 | 26 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.4 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 16.2 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1003.9 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 185.4 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 9.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 75.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 46 |
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