-60V/-50A 国产MOS管型号 50P06 TO-220 插件低压MOS MOSFET参数
国产MOS管型号 50P06的特点:
VDS=-60V
ID=-50A
RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V
封装:TO-220
国产MOS管型号 50P06的用途:
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
国产MOS管型号 50P06的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:-60V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:-50A
漏极电流-脉冲 IDM:-90A
单脉冲雪崩能量 EAS:101mJ
雪崩电流 IAS:45A
总耗散功率 PD:86.8W
结到环境的热阻 RθJA:62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:1.44℃/W
存储温度 TSTG:-55~150℃
工作结温 TJ:-55~150℃
国产MOS管型号 50P06的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-18A | 13 | 18 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 29 | 35 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.8 | -3 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 6.7 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 3635 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 224 | |||
Crss | 反向传输电容 | 141 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 38 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 23.6 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
tf | 开启下降时间 | 6.8 |