手机快充PMOS管 30P06 TO-252 MOSFET选型 功率MOS参数
MOSFET选型 30P06的特点：
VDS=-60V
ID=-30A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
封装：TO-252
MOSFET选型 30P06的用途：
锂电池保护
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MOSFET选型 30P06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-30A
漏极电流-脉冲 IDM：-70A
单脉冲雪崩能量 EAS：113mJ
雪崩电流 IAS：47.6A
总耗散功率 PD：52.1W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
MOSFET选型 30P06的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 21 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 26 | 33 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3635 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 224 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 141 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 38 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 23.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.8 |
MOSFET选型 30P06的封装外形尺寸图：
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