60V P型MOSFET 3P06 SOT-23 锂电池场效应管 大芯片 MOS管丝印
P型MOSFET 3P06的引脚配置图:
P型MOSFET 3P06的特点:
VDS=-60V
ID=-3A
RDS(ON)<180mΩ@VGS=-10V
封装:SOT-23
P型MOSFET 3P06的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | -3.3 | A |
漏极电流-连续(TA=70℃) | -1.4 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -7 | |
PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 | |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | ℃/W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 125 |
P型MOSFET 3P06的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 130 | 185 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 158 | 200 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -2.5 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 4.6 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.62 | |||
Ciss | 输入电容 | 531 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 59 | |||
Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 17.4 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 5.4 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 37.2 | |||
tf | 开启下降时间 | 2.4 |