国产MOSFET 低压系列MOS管 50N06 TO-251 场效应管工作原理
国产MOSFET 50N06的管脚图：
国产MOSFET 50N06的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
国产MOSFET 50N06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：50A
漏极电流-脉冲 IDM：90A
单脉冲雪崩能量 EAS：39.2mJ
雪崩电流 IAS：28A
总耗散功率 PD：45W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.8℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产MOSFET 50N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 14 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2423 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 145 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 97 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 50 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 36.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7.6 |
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