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60V常用MOS 50N06 TO-263
60V常用MOS 50N06 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50N06
产品封装:TO-263
产品标题:60V常用MOS 贴片MOS管丝印 50N06 TO-263 15mΩ 国产场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60V常用MOS 贴片MOS管丝印 50N06 TO-263 15mΩ 国产场效应管



60V常用MOS 50N06的产品特点:

  • VDS=60V

  • ID=50A

  • RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-263



60V常用MOS 50N06的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



60V常用MOS 50N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)50A
漏极电流-连续(TC=100℃)34
IDM漏极电流-脉冲100
EAS单脉冲雪崩能量40mJ
IAS雪崩电流28A
PD总耗散功率 TC=25℃74W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻1.68℃/W
RθJA结到环境的热阻62



60V常用MOS 50N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


13.520
VGS(th)
栅极开启电压1.2
2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
19.3
nC
Qgs栅源电荷密度

7.1
Qgd栅漏电荷密度
7.6
Ciss输入电容
2423
pF
Coss输出电容
145
Crss反向传输电容
97
td(on)开启延迟时间
7.2
ns
tr开启上升时间
50
td(off)关断延迟时间
36.4
tf
开启下降时间
7.6


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