60V/8A N沟道MOS管 8N06 SOP8 电源管理MOS管 贴片MOS丝印
电源管理MOS管 8N06的特点:
VDS=60V
ID=8A
RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V
封装:SOP8
电源管理MOS管 8N06的用途:
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
电源管理MOS管 8N06的极限值:
电源管理MOS管 8N06的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 4.5 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 3.5 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 18 | |
PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 25 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
电源管理MOS管 8N06的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4A | 35 | 40 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=2A | 45 | 50 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 2.6 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
Ciss | 输入电容 | 1027 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 65 | |||
Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 3 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 34 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 23 | |||
tf | 开启下降时间 | 6 |