60V/3A场效应管 3N06 SOT-23 电源管理MOS MOSFET引脚
电源管理MOS 3N06的特点：
VDS=60V
ID=3A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=10V
封装：SOT-23
电源管理MOS 3N06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 3 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 1.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 9.2 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
电源管理MOS 3N06的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2A | 80 | 100 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=1A | 85 | 110 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5 | 7 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.68 | 2.4 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.9 | 2.7 | ||
| Ciss | 输入电容 | 511 | 715 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 38 | 53 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | 35 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 7.2 | 13 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | 50 | ||
| tf | 开启下降时间 | 14.4 | 28.8 |
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