-40V/-30A 低内阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L 场效应管的应用 MOS选型
低内阻P型MOS 30P04的引脚配置图：
低内阻P型MOS 30P04的用途：
电池电流
负载开关
UPS不间断电源
低内阻P型MOS 30P04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-30A
漏极电流-脉冲 IDM：-105A
单脉冲雪崩能量 EAS：146mJ
雪崩电流 IAS：-54A
总耗散功率 PD：52.1W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低内阻P型MOS 30P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-18A | 10.5 | 13 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 15 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 27.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 323 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 222 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 40 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 35.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 |
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