-15APMOS 15P04 TO-252 32mΩ 小电流MOS管 大功率场效应管
-15APMOS 15P04的特点：
VDS=-40V
ID=-15A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=-10V
封装：TO-252
-15APMOS 15P04的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
-15APMOS 15P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-15A
漏极电流-脉冲 IDM：-54A
单脉冲雪崩能量 EAS：40.9mJ
雪崩电流 IAS：-28.6A
总耗散功率 PD：35W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：3.6℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
-15APMOS 15P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-8A | 27 | 32 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 39 | 46 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1415 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 134 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 102 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 59 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.5 |
扫二维码进入手机网站