增强型PMOS 10P04 TO-252 场效应管引脚图 -40V/-10A 低压MOSFET
增强型PMOS 10P04的产品特点：
VDS=-40V
ID=-10A
RDS(ON)＜65mΩ@VGS=-10V
封装：TO-252
增强型PMOS 10P04的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
增强型PMOS 10P04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-10A
漏极电流-脉冲 IDM：-32A
单脉冲雪崩能量 EAS：21mJ
雪崩电流 IAS：-20.5A
总耗散功率 PD：25W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：5℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
增强型PMOS 10P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-8A | 60 | 65 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 85 | 100 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 620 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 69 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 52 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 40 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.5 |
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