国产大电流NMOS 120N04 TO-220 负载用MOSFET 足芯片场效应管
负载用MOSFET 120N04的用途：
电池保护
负载开关
不间断电源
负载用MOSFET 120N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：600A
单脉冲雪崩能量 EAS：272mJ
雪崩电流 IAS：33A
总耗散功率 PD：180W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到管壳的热阻 RθJA：50℃/W
结到环境的热阻 RθJC：0.7℃/W
负载用MOSFET 120N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 3 | 4 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.8 | 4 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 17 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 21 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4900 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 528 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 317 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 21 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 32 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 71 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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