电源管理MOS管 80P02 PDFN5X6-8L 大电流PMOS 2.3mΩ场效应管
大电流PMOS 80P02的引脚图:
大电流PMOS 80P02的应用领域:
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
大电流PMOS 80P02的极限参数:
(如无特殊说明,TA=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -80 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | -54 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -360 | |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 41.67 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 3 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
大电流PMOS 80P02的电特性:
(如无特殊说明,TA=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 1.8 | 2.3 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 2.1 | 2.6 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-20A | 2.7 | 3.6 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±500 | nA | ||
gfs | 正向跨导 | 30 | S | ||
Qg | 栅极电荷 | 149 | 225 | nC | |
Qgs | 栅源电荷密度 | 14.4 | 22 | ||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 42.8 | 65 | ||
Ciss | 输入电容 | 14000 | 16000 | pF | |
Coss | 输出电容 | 1670 | 2500 | ||
Crss | 反向传输电容 | 730 | 1100 | ||
td(on) | 开启延迟时间 | 21.2 | 42 | ns | |
tr | 开启上升时间 | 20.6 | 40 | ||
td(off) | 关断延迟时间 | 26 | 52 | ||
tf | 开启下降时间 | 400 | 600 |
大电流PMOS 80P02的封装外形尺寸图: