68A国产低压MOS 68N04 PDFN5X6-8L 功率MOS管参数 8.5mΩMOS管
68A国产低压MOS 68N04的特点：
VDS=40V
ID=68A
RDS(ON)＜8.5mΩ@VGS=10V
封装：PDFN5X6-8L
68A国产低压MOS 68N04的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
68A国产低压MOS 68N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：68A
漏极电流-脉冲 IDM：125A
单脉冲雪崩能量 EAS：31mJ
雪崩电流 IAS：31A
总耗散功率 PD：1.67W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：30℃/W
68A国产低压MOS 68N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 6.9 | 8.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10.5 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 690 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 193 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20 | |||
| tf | 开启下降时间 | 11 |
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