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40V/60A国产MOS管 60N04 PDFN5X6-8L
40V/60A国产MOS管 60N04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:60N04 PDFN5X6-8L 40V/60A国产MOS管 低内阻场效应管 MOS管60N04
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产品详情


60N04 PDFN5X6-8L 40V/60A国产MOS管 低内阻场效应管 MOS管60N04



低内阻场效应管 60N04的管脚配置图:

image.png



低内阻场效应管 60N04的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



低内阻场效应管 60N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:60A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:100A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:20mJ

  • 雪崩电流 IAS:20A

  • 总耗散功率 PD:46W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.7℃/W



低内阻场效应管 60N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4045
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


10.513.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


13.516.5
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
10.7
nC
Qgs栅源电荷密度
3.3
Qgd栅漏电荷密度
4.2
Ciss输入电容
1314
pF
Coss输出电容
120
Crss反向传输电容
88
td(on)开启延迟时间
8.6
ns
tr开启上升时间
3.4
td(off)关断延迟时间
25
tf
开启下降时间
2.2



低内阻场效应管 60N04的参数特性曲线图:

image.png


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