30V功率MOSFET 4435A SOP-8 MOS管丝印 锂电保护用MOS
锂电保护用MOS 4435A的特点:
VDS=-30V
ID=-10.5A
RDS(ON)<16mΩ@VGS=-10V
封装:SOP-8
锂电保护用MOS 4435A的应用:
锂电池保护
手机快充
锂电保护用MOS 4435A的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:-30V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:-10.5A
漏极电流-脉冲 IDM:-50A
单脉冲雪崩能量 EAS:72.2mJ
雪崩电流 IAS:-38A
总耗散功率 PD:3.1W
存储温度 TSTG:-55~150℃
工作结温 TJ:-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA:75℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:24℃/W
锂电保护用MOS 4435A的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -32 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 12 | 16 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 18 | 24 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
Ciss | 输入电容 | 1800 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 305 | |||
Crss | 反向传输电容 | 216 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 26 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 35 | |||
tf | 开启下降时间 | 8 |
锂电保护用MOS 4435A的封装外形尺寸图: