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电池保护MOS管 3401 SOT-23
电池保护MOS管 3401 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3401
产品封装:SOT-23
产品标题:电池保护MOS管 3401 SOT-23 低内阻MOSFET 场效应管选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


电池保护MOS管 3401 SOT-23 低内阻MOSFET 场效应管选型



电池保护MOS管 3401的管脚图:

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电池保护MOS管 3401的特点:

  • VDS=-30V

  • ID=-4.8A

  • RDS(ON)<50mΩ@VGS=-10V(Type:40mΩ)

  • RDS(ON)<55mΩ@VGS=-4.5V(Type:45mΩ)

  • 封装:SOT-23



电池保护MOS管 3401的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



电池保护MOS管 3401的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-30V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续 TC=25℃-4.8A
漏极电流-连续 TC=100℃-3.3
IDM漏极电流-脉冲-20.4
PD总耗散功率2.15W
RθJA结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻104
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



电池保护MOS管 3401的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-34
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-5A


4050

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-4A


4555

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-1A


5580
VGS(th)
栅极开启电压-0.5-1-1.5V
IDSS
零栅压漏极电流

-1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
8
nC
Qgs栅源电荷密度
1.8
Qgd栅漏电荷密度
2.7
Ciss输入电容
745
pF
Coss输出电容
70
Crss反向传输电容
57
td(on)开启延迟时间
7
ns
tr开启上升时间
3
td(off)关断延迟时间
30
tf
开启下降时间
12


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