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宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L
宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60P03
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L 锂电保护MOS管 场效应管60P03
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L 锂电保护MOS管 场效应管60P03



锂电保护MOS管 60P03的管脚图:

blob.png



锂电保护MOS管 60P03的特点:

  • VDS=-30V

  • ID=-60A

  • RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V

  • 封装:PDFN3X3-8L



锂电保护MOS管 60P03的应用:

  • 锂电池充电

  • 手机快充



锂电保护MOS管 60P03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续-60A
IDM漏极电流-脉冲-200
EAS单脉冲雪崩能量125mJ
IAS雪崩电流-50A
PD总耗散功率38W
RθJA结到环境的热阻65℃/W
RθJC结到管壳的热阻3.3
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



锂电保护MOS管 60P03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-32
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-10A


6.88

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


9.313
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
25
S
Qg栅极电荷
30
nC
Qgs栅源电荷密度
10
Qgd栅漏电荷密度
10.4
Ciss输入电容
3448
pF
Coss输出电容
508
Crss反向传输电容
421
td(on)开启延迟时间
9.4
ns
tr开启上升时间
10.2
td(off)关断延迟时间
117
tf
开启下降时间
24



锂电保护MOS管 60P03的特性曲线图:

blob.png


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