30VP沟道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L 手机快充MOS 场效应管引脚图
手机快充MOS 50P03的引脚排列图:
手机快充MOS 50P03的应用:
锂电池保护
手机快充
手机快充MOS 50P03的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±25 | |
ID | 漏极电流-连续 | -50 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | -150 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 125 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | -50 | A |
PD | 总耗散功率 | 45 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.8 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
手机快充MOS 50P03的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-12A | 9 | 13 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 14 | 20 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨导 | 30 | S | ||
Qg | 栅极电荷 | 22 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 8.7 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.2 | |||
Ciss | 输入电容 | 2215 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 310 | |||
Crss | 反向传输电容 | 237 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 8 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 73.7 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 61.8 | |||
tf | 开启下降时间 | 24.4 |