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30VP沟道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L
30VP沟道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50P03
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:30VP沟道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L 手机快充MOS 场效应管引脚图
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30VP沟道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L 手机快充MOS 场效应管引脚图



手机快充MOS 50P03的引脚排列图:

blob.png



手机快充MOS 50P03的应用:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



手机快充MOS 50P03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-30V
VGS栅极-源极电压±25
ID漏极电流-连续-50A
IDM漏极电流-脉冲-150
EAS单脉冲雪崩能量125mJ
IAS雪崩电流-50A
PD总耗散功率45W
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻2.8
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



手机快充MOS 50P03的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-33
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-12A


913

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


1420
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.7-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
30
S
Qg栅极电荷
22
nC
Qgs栅源电荷密度
8.7
Qgd栅漏电荷密度
7.2
Ciss输入电容
2215
pF
Coss输出电容
310
Crss反向传输电容
237
td(on)开启延迟时间
8
ns
tr开启上升时间
73.7
td(off)关断延迟时间
61.8
tf
开启下降时间
24.4


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