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MOSFET替换 2300 SOT-23-3L
MOSFET替换 2300 SOT-23-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:2300
产品封装:SOT-23-3L
产品标题:MOSFET替换 2300 SOT-23-3L 贴片MOS管丝印 功率场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


MOSFET替换 2300 SOT-23-3L 贴片MOS管丝印 功率场效应管



MOSFET替换 2300的管脚图:

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MOSFET替换 2300的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



MOSFET替换 2300的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压20V
VGS栅极-源极电压±12
ID

漏极电流-连续 TA=25℃

3.3A
漏极电流-连续 TA=70℃2.8
IDM漏极电流-脉冲14.4
PD总耗散功率 TA=25℃1W
RθJA结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻80
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



MOSFET替换 2300的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2022
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


2332

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=2A


2935
VGS(th)
栅极开启电压0.50.751.2V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=16V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
4.6
nC
Qgs栅源电荷密度

0.7


Qgd栅漏电荷密度
1.5
Ciss输入电容
310
pF
Coss输出电容
49
Crss反向传输电容
35
td(on)开启延迟时间
1.6
ns
tr开启上升时间
42
td(off)关断延迟时间
14
tf
开启下降时间
7


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