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国产场效应管 2307 SOT-23-3L
国产场效应管 2307 SOT-23-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:2307
产品封装:SOT-23-3L
产品标题:国产场效应管 2307 SOT-23-3L MOSFET选型 低压MOS管2307
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产场效应管 2307 SOT-23-3L MOSFET选型 低压MOS管2307



MOSFET选型 2307的管脚图:

blob.png



MOSFET选型 2307的特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-7A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=-4.5V



MOSFET选型 2307的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



MOSFET选型 2307的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续 TA=25℃-7.1A
漏极电流-连续 TA=70℃-4.8
IDM漏极电流-脉冲-23.8
PD总耗散功率 TA=25℃1W
RθJA结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻80
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



MOSFET选型 2307的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-4A


1621

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-3A


2028

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-1.5A


2835
VGS(th)
栅极开启电压-0.4-0.7-1V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,TJ=25℃



-1uA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,TJ=55℃



-5
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
21
S
Qg栅极电荷
27.338.2nC
Qgs栅源电荷密度

3.6

5
Qgd栅漏电荷密度
6.59.1
Ciss输入电容
22803192pF
Coss输出电容
220308
Crss反向传输电容
187262
td(on)开启延迟时间
9.218.4ns
tr开启上升时间
59106
td(off)关断延迟时间
99198
tf
开启下降时间
71142


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