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低压P型场效应管 6P02 DFN2X2-6L
低压P型场效应管 6P02 DFN2X2-6L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:6P02
产品封装:DFN2X2-6L
产品标题:低压P型场效应管 6P02 DFN2X2-6L -20V场效应管型号 MOS管6P02
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压P型场效应管 6P02 DFN2X2-6L -20V场效应管型号 MOS管6P02



低压P型场效应管 6P02的引脚图:

blob.png



低压P型场效应管 6P02的特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-6A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V

  • 封装:DFN2X2-6L



低压P型场效应管 6P02的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压P型场效应管 6P02的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续-6A
IDM漏极电流-脉冲-24
PD总耗散功率1.2W
RθJA结到环境的热阻100℃/W
TJ工作结温-55~150



低压P型场效应管 6P02的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-6A


1625

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-5A


2530

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-3A


3845
VGS(th)
栅极开启电压-0.5-0.7-1V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=-20V,VGS=0V



-1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
17
nC
Qgs栅源电荷密度
4.1
Qgd栅漏电荷密度
4.3
Ciss输入电容
2100
pF
Coss输出电容
498
Crss反向传输电容
300
td(on)开启延迟时间
25
ns
tr开启上升时间
30
td(off)关断延迟时间
70
tf
开启下降时间
50



低压P型场效应管 6P02的封装外形尺寸图:

blob.png


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