30V低压MOS管 4406A SOP-8 贴片场效应管 MOS管4406A
30V低压MOS管 4406A的特点：
VDS=30V
ID=12A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
封装：SOP-8
30V低压MOS管 4406A的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
30V低压MOS管 4406A的管脚图：
30V低压MOS管 4406A的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGSS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | 12 | A |
| 漏极电流-连续(TA=70℃) | 8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 48 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 16 | mJ |
| PD | 总耗散功率(TA=25℃) | 3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 56 | ℃/W |
| TJ,TSTG | 工作结温和存储温度 | -55~+150 | ℃ |
30V低压MOS管 4406A的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=13A | 8.5 | 12 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 13 | 18 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 900 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 140 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 120 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
30V低压MOS管 4406A的封装外形尺寸：
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